对于处理器来说更小的晶体管制程会意味着更高的频率、更低的耗电量、更低的发热量，从0.8μm(微米)制程奔腾时代开始处理器的高功耗和高发热量，开始为人们所认知，从此更小制程晶体管几乎成为处理器每个时代的标志。0.13μm制程的奔腾四处理器到90nm(纳米)制程无疑是一次伟大的技术飞越，实现了高性能、低功耗晶体管、应变硅、高速铜质接头和新型低-k介质材料的技术突破，这也是业内首次在处理器生产中使用应变硅。在90nm制程的奔腾D处理器仅仅发布一年之后，更先进的65nm制程Conroe双核处理器于2006年7月27日正式诞生。而仅仅在两个月之后英特尔宣布代号Penryn的45nm制程处理器已在研发中，2007年1月29日英特尔宣布45nm制程Penryn处理器原型成功运行所有主流操作系统，并且公开披露了Penryn处理器的大量细节资料，这是英特尔成立以来首次在产品还未生产之前就放出官方产品资料，由次可见45nm制程Penryn处理器对英特尔的意义非同一般。

　　按照英特尔目前的日程表，45nm制程的Penryn系列处理器要到年底才会正式面市。15种产品将含盖笔记本、桌面和服务器应用。45nm制程的Penryn处理器芯片体积将更小而且速度也会更快，晶体管密度将是目前65nm制程处理器的两倍，换句话说目前65nm制程处理器100平方毫米的芯片面积将会缩减为50平方毫米，可以说更小的制程是实现更多核心处理器的前提。尽管架构相同，但是45nm制程的Penryn处理器和目前的Conroe相比，改变不仅仅只有体积的变化那么简单，它将拥有更大容量的二级缓存、更高的主频、更低的发热量、完整的SSE4指令集以及先进的high-k工艺。

　　更有效率的晶体管：

　　晶体管是构建处理器的基石，它们的作用简单来说就是微型电子开关，有ON和OFF两种状态。这一开一关就相当于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应。电子在电路中流动或断开，完全由开关来控制，如果开关设置为OFF，电子将停止流动，如果设置为ON，电子又会继续流动。晶体管的这种ON与OFF的切换只由电子信号控制，我们可以将晶体管称之为二进制设备。体积更小的晶体管会使处理器拥有更快的运行速度和更低的发热量。

　　在晶体管中栅极和栅介质也非常重要，它们的作用就是利用其在硅底层通道和栅极之间产生较高的场效应，同时又要求栅介质是完美的绝缘体，防止电流通过栅介质发生泄漏。90nm和65nm处理器的栅介质厚度为1.2nm相当于5个原子。较薄的栅介质大大提升了场效应，而且减少了电流泄漏。而在45nm制程Penryn处理器上的high-k工艺，就是用更高介电常数的金属栅极取代传统的低介电常数(low-k)的二氧化硅栅极，从而大大解决漏电问题。英特尔声称，与同频率的65nm制程相比，45nm制程的high-k工艺可将晶体管转换速度(频率)提高20%，同时转换能耗减少30%，并将漏电降至1/5。这意味着Penryn处理器的效率将更高。

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