第三页：成功试产的Intel下一代45nm制程工艺

　　有着High-K铪材料+金属栅极晶体管作为基础，相信Intel的45nm制程处理器可以拥有更低的泄露电流，提高领先的每瓦性能优势(Performance Per Watt)。前提是High-K栅介质确实有如Intel所宣称的性能表现。Intel采用45纳米制程技术开发出首批可工作的处理器——这些处理器是英特尔下一代英特尔®酷睿™2和至强®系列处理器中Penryn系列的一部分。通过这些处理器的开发，英特尔已经成功地解决了阻碍摩尔定律发展的一些重大障碍45纳米技术创新催生了新的半导体技术，并将把摩尔定律带入下一个10年。

使用新High-K栅介质+金属栅极晶体管以45nm工艺试产的SRAM晶圆

45nm SRAM测试晶圆放大图

　　45nm SRAM芯片的试产意味着45nm Penryn处理器的脚步在临近，据Intel相关的负责人赵军表示，在今年下半年Intel Desktop、Mobile、Server平台都会推出使用45nm的处理器产品。

　　而截至到2008年上半年，Intel将会有3座工厂投入45nm工艺产品的生产，这些工厂的投入使用不仅可以让Intel率先生产出首批可使用的45nm处理器，还标志着Intel将持续在半导体行业保持至少领先一年的优势。剩下的我们就只有期待，等到实际产品发售之后的体验了，到时候所有的说法都会有实际的答案，我们感谢Intel为这个行业持续注入的创新动力。

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