四、显山露水的45nm制程
在引入65nm制程后，英特尔将依然保持着每两年更新一代制造工艺的惊人速度，在明年引入45nm工艺。45纳米工艺已经成熟，与65纳米工艺的产品相比，它的漏电量减少为五分之一，晶体管开关切换速度提高20%，工作电流将减少30%，因此它将具有更好的节能效果和更高的性能。目前，45nm工艺的CPU还没有制造出来，但45nm工艺的确已经开始应用了！它正应用在Intel的45nm测试晶圆上，并取得了不错的反映。
2006年1月，英特尔宣布了使用45纳米工艺的SRAM芯片生产成功，他们展示的这款SRAM芯片采用193纳米干法光刻技术，存储容量高达153Mbit，晶体管数目达到10亿个，芯片面积119平方毫米。由6个晶体管组成的SRAM存储单元的面积为0.346平方微米，大约相当于65纳米工艺的存储单元面积的一半，这也意味着采用45纳米工艺的产品单晶体管成本将更加低廉。
在性能上，45纳米工艺的晶体管也获得了很大进步。与65纳米工艺的产品相比，它的漏电量减少为五分之一，晶体管开关切换速度提高20%，工作电流将减少30%，因此它将具有更好的节能效果和更高的性能。
2007年下半年，英特尔的CPU将全面转向45纳米工艺生产，届时第二代Core微架构的CPU也将与我们见面，用于笔记本电脑市场的Penryn就是其中的代表。它的运行频率可能将比Merom稍高，拥有3MB或6MB的共享二级缓存。而主流桌面产品则包括Ridgefield和Wolfdale，它们同样也有6MB/3MB共享二级缓存，运行频率很可能超越3GHz。
此外，四内核，单核心封装的Bloomfield和八内核，多核心封装的Yorkfield和Hapertown也将在2008年出现，后两者将拥有12 MB二级缓存。同时，目前英特尔的几座45纳米工艺新厂正在紧张建设以确保产能，毫无疑问，采用Core微架构的65纳米和45纳米产品将打响一场非常漂亮的反击战，而AMD的65纳米工艺最早也要到2006年年底才能投产。上一页 [1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] |
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