与我们熟悉的Core 2 Quad 和Core 2 Extreme处理器一样,四核心Xeon处理器同样是将两个双核心封装在一起。每一个双核心都会共享一个4M大小的二级缓存。因此一块四核心Xeon处理器的二级缓存就达到了8M。

这里我觉得有必要提醒大家的就是INTEL公司认为这种将两个双处理器核心封装成一块处理器的方法从经济角度来考虑会更有优势。根据该公司的报告,使用这种方式可以提高20%的产量并且将成本降低12%。不过采用这样的设计必须要考虑到一个拥有两个二级缓存的四核心处理器将会非常依赖于处理器的前端总线,因为处理器与系统内存的互联就是通过前端总线来实施的。
下表给大家列出 Xeon X5365详细性能参数:
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Intel Xeon X5365 |
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核心频率 |
3.0GHz |
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总线频率 |
1333MHz |
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TDP |
150W |
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处理器编号 |
X5365 |
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步时 |
B3 |
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核心数量 |
4 |
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二级缓存 |
8MB (2 x 4MB) |
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CPUID |
06F7 |
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倍频 |
9x |
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最高核心电压 |
1.4125V |
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Enhanced Intel SpeedStep 技术 |
支持 |
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Enhanced Halt State (C1E) |
支持 |
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Execute Disable Bit (XD) |
支持 |
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Intel 64技术 |
支持 |
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Intel Virtualization技术 |
支持 |
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封装 |
LGA771 |
从上表我们可以看到四核心Xeon Clowertown处理器的步进与 Kentsfield是相符的,而这也从另一方面说明了二者之间亲密的关系。相信你也看到处理器核心的电压是非常高的,基本上高于现有任何一款基于Core微架构的处理器产品。而这也使得Xeon X5365的功耗达到了150W。如此高的发热量让我们不由得想到了INTEL公司失败的NetBurst,因为一直以来INTELXeon处理器的TDP就从来没有超出过130W。不过这个150W的TDP只出现在3G版的quad-core Xeon Clowertown处理器上,而频率较低的产品TDP只有120W。所以INTEL公司建议使用特别设计的全铜散热器与这款功耗超高的Xeon X5365配合使用:


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